Компанія Samsung Electronics оголосила про початок виробництва чипів на базі 3-нанометрового технологічного вузла із застосуванням транзисторів Gate-All-Around (GAA).
Про це йдеться
в повідомленні компанії.
Зазначається, що використання нових технологій підвищить ефективність енергоспоживання шляхом зниження рівня напруги живлення, а також покращить продуктивність роботи мікрочіпів, оскільки вони будуть меншими, потужнішими та ефективнішими.
Їх збираються використовувати у високопродуктивних обчислювальних додатках, а потім упровадять у смартфони та інші ґаджети.
Зазначається, що ці технології дають змогу знизити енергоспоживання на 45%, підвищити продуктивність на 23% і зменшити площу поверхні мікрочіпа на 16% в порівнянні з 5-нонаметровим.
