Компанія Samsung Electronics оголосила про свою розробку мікросхеми пам’яті з високою пропускною здатністю (HBM) п’ятого покоління. Вона може обробляти дані зі швидкістю до 1280 ГБ за секунду
Про це повідомляє
Yonhap.
Компанія заявила, що мікросхема має найвищу ємність у галузі - 36 ГБ. За словами Samsung, чип HBM3E 12H є на 50% кращим у продуктивності та ємності, аніж його попередник HBM3 8H. Зокрема, він здатен обробляти дані зі швидкістю до 1280 ГБ за секунду, що рівнозначно можливості завантажувати більше 40 UHD-фільмів із ємністю в 30 ГБ за секунду.
Зазначено, що чипи-HBM набувають популярності через важливу роль у живленні генеративних систем штучного інтелекту, зокрема ChatGPT від компанії OpenAI.
У Samsung Electronics також повідомили, що масово виробляти чипи нового покоління планують у першій половині 2024 року. Однак компанія вже розпочала доставляти зразки HBM3E 12H своїм клієнтам.
